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Micron DRAM PN 编码资料

采集日期：2026-05-15；更新日期：2026-08-27

资料来源

iTXTech fdnext DecodePack 范围

  • 主线 DRAM 规则文件：packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-dram-token.json
  • 堆叠 / 专用 DRAM 规则文件：packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-hbm-token.json、packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-hmc-token.json
  • 规则 ID：vendor.micron.dram.component.v1、vendor.micron.dram.japan.component.v1
  • 首批覆盖：DDR/SDR/LPDDR/GDDR 主线芯片 PN，包括 Micron 目录 MT40/41/42/46/47/48/51/52/53/58/60/61/62/68、Crucial 命名空间 CT40/41/42/46/47/48/51/52/53/58/60/61/62/68，以及 Micron 旧版 Elpida 命名空间 ED/EE + 40/41/42/44/46/47/48/49/51/52/53/58/60/61/62/68。Micron Memory Japan 旧版 DDR4 EDY4016... 使用独立规则，不混入 MT40 编码段流。
  • 堆叠 / 专用覆盖见 micron_hbm.md 和 micron_hmc.md：当前加入 Micron HBM2E MT54A... 与 HMC MT43A...，用于修正这类 PN 被回退误判为裸 NAND 的问题。
  • Micron 官方 SDRAM 目录确认 2M32 / 4M16 / 4M32 / 8M16 / 8M32 为实际芯片-配置编码段；规则按 depth x width 计算容量并输出宽度。B2 仅作器件-版本编码段消耗，B4 / B5 / P / TG 封装仅在 PN 中实际存在对应编码段时输出；其中 x32 P/TG 使用 TSOP-II-86, 10x22x1.2，x16/x8 TG 使用 TSOP-II-54, 10x22x1.2。来源：https://www.micron.com/products/memory/dram-components/sdram/part-catalog、https://www.micron.com/products/obsolete/obsolete-sdram/part-catalog。
  • Micron LPDDR2 的 64M64 / 96M64 / 128M64 配置编码段按数据手册结构分别输出 4Gb / 6Gb / 8Gb、x64；封装继续独立按 PN 中实际存在的封装编码段解析，不能仅凭配置或完整 PN 反推。

搜索资源

  • 搜索资源归属和 MDB 去重规则见 PN 编写规范。
  • 2026-07-12 复查 Micron 官方 12 个当前版 DRAM 目录（519 条）及 11 个已停产 DRAM 目录（1238 条）。逐条排除既有资源、有效 MDB 精确 / 后缀边界覆盖、DNU、Micron 目录中仍按 Elpida 厂商解码的 ED* 料号，以及目录与结构化编码段解码在位宽等确定字段上冲突的记录后，67 条 Micron 芯片 / 裸片完整 PN 进入 dram-pn.json。其中包含 2 条当前版裸片 PN，以及 SDRAM、DDR、DDR4 裸片、LPDDR4/4X、LPDDR5 的 65 条已停产 PN；解码器仍完全依赖系列/配置/封装/后缀编码段，不加入完整 PN 白名单。带空格的官方订购 PN 原样保存在资源中，搜索标签按现有归一化器输出无空格规范结构。
  • 2026-07-13 继续审计 LPDDR5 当前版目录后，MT62F1DAD4CZ-DC Y62P / MT62F1DAD8CZ-DC Y62P 未被有效 MDB 精确或更详细后缀映射覆盖，作为精确搜索种子加入；Y52N / Y6CP 变体已有 MDB 映射，不重复加入。
  • MDB 爬取规格、补充输入与命令见 FDBGen。
  • packages/core/resources/mdb.json 收录官方 API 返回且通过 DRAM 系列过滤的 FBGA 编码到完整 PN 映射，例如 C9BJZ -> CT40A1G8SA-62M:E。它用于 searchParts() 编码查询，以及 decodePart({ query: "C9BJZ" }) 这类编码输入时先反查 PN 再走 iTXTech fdnext DecodePack。
  • mdb.json 中有大量带冒号修订版的 DRAM PN，例如 D8BBF -> MT53E128M32D2FW-046 IT:A、D9WCR -> MT61K256M32JE-12:A、D8FHL -> MT68A512M32DF-28:A、D8BCJ -> MT62F512M32D2DS-031 AAT:B。PN 补全和解码分类支持用户省略冒号查询，并回到带冒号的官方 PN 展示。

PN 结构

典型结构：

(MT|CT) + family + voltage + component configuration + device version + package code + -speed + -temperature + production status + :/ -revision

CT 前缀来自 Crucial / Ballistix 命名空间，后续编码段仍沿用 Micron DRAM 结构解析。输出保留原始 CT... PN，不强行改写为 MT...，因为 Crucial 的速度/档位编码段不一定与公开 MT... 目录编码段一一对应。

Micron Memory Japan 旧版 DDR4 EDY4016... 使用独立结构：

EDY + density + width + voltage + die revision + package + -speed + -solder + -packing

当前外部确认的 EDY4016A 表示 4Gb x16 DDR4；JD/GX/DR 分别输出 DDR4-3200 24-24-24、DDR4-2666 19-19-19、DDR4-2400 16-16-16。-R TR 这类分销订货写法归一为规范 -R。

首批系列编码段：

编码段 产品线 输出
40 DDR4 SDRAM dram_type=DDR4
41 DDR3 SDRAM dram_type=DDR3
42 移动版 LPDDR2 dram_type=LPDDR2
43A HMC / HMC Gen2 dram_type=HMC，详见 micron_hmc.md
44 RLDRAM 3 dram_type=RLDRAM 3
46 DDR SDRAM / 移动版 LPDDR 默认 dram_type=DDR，H/HC 电压编码段细化为 LPDDR
47 DDR2 SDRAM dram_type=DDR2
48 SDRAM / 移动版 LPSDR 默认 dram_type=SDR，H 电压编码段细化为 LPSDR
49 RLDRAM 1/2 dram_type=RLDRAM
51 GDDR5 dram_type=GDDR5
52 移动版 LPDDR3 / DDR3L 移动版 默认 dram_type=LPDDR3，K 电压编码段细化为 DDR3
53 移动版 LPDDR4 / LPDDR4X 默认 dram_type=LPDDR4，D/E 电压编码段细化为 LPDDR4X
54 HBM2E dram_type=HBM2E，详见 micron_hbm.md
58 GDDR5 / GDDR5X 默认 dram_type=GDDR5X，GDDR5 速度档位可细化为 GDDR5
60 DDR5 SDRAM dram_type=DDR5
61 GDDR6 / GDDR6X 默认 dram_type=GDDR6，部分速度档位细化为 GDDR6X
62 移动版 LPDDR5 / LPDDR5X 默认 dram_type=LPDDR5，020/020F/023 等 LPDDR5X 速度档位细化为 LPDDR5X
68 GDDR7 dram_type=GDDR7

输出约定

2026-08-27 特殊命名空间边界

  • Micron 公开 FBGA 资料与 Arrow 镜像可交叉确认 NT41J / NT47H 是 Micron/旧版 DDR3 / DDR2 别名；规则只放行这两个完整系列，不建立泛 NT 前缀，避免与 Nanya NT5... 等命名空间冲突。
  • CT1G8Z... / CT2G8Z... 是 Crucial/Micron 芯片 PN，仅接入已交叉确认的 DDR4、容量和位宽。SpecTek 解码器只接受 SCT 而非 CT，因此不借用 VA/JC 封装和 062E/075E 速度表，也不补 die/CS 拓扑。不扩展为 DIMM/模组解码器。
  • EMBA164B... / EMF8132A... 的 M 是菊花链样品类型，不是 Micron 厂商别名。 本轮按仓库已有 ED=elpida 口径接入 Elpida 规则。
  • Micron MDB 与公开 Micron PN/FBGA 清单交叉确认 9 条旧版 AMD 别名。规则只接受 AMD41J<depth>M<width>、AMDJ<depth>M<width> 和 AMD15V<depth>X<width> 三种 DDR3 芯片结构，不建立泛 AMD 前缀。容量按深度 x 位宽计算；HA / JT、 107 / 125 和冒号后的修订版沿用已确认的 Micron DDR3 语义。速度后的 G 与 C / D / P 只作为内部编码段消费，不输出未经资料确认的温度、等级或特殊选项。
  • MT43T/M/D、MT55J/D、MT59* 和 MT63G 仍缺少能把内部主体 绑定到确切产品线的订购编码/目录，只保留在覆盖率/证据待办项。

来源：https://static6.arrow.com/aropdfconversion/3586d2f02ff8bdf3c705c1963408382dfa8a3528/fbga-microntechnologyinc..pdf、 https://assets.micron.com/adobe/assets/urn%3Aaaid%3Aaem%3A0b279ea9-4e4c-49fa-98c6-c18ad4c67279/renditions/original/as/legacy-elpida-pns.pdf、 https://www.micron.com/products/obsolete/obsolete-lpddr/part-catalog、 https://www.preduo.com/part-number-list/micron-part-number-list、 https://www.micron.com/sales-support/design-tools/fbga-parts-decoder。

  • fields.density 使用项目统一 Mbit 单位，由 component configuration 的深度 x 位宽推导，例如 1G8 输出 8192。
  • fields.device_width 输出组织位宽，例如 1G32 输出 x32。
  • fields.voltage 输出 Micron 电压编码段对应说明。
  • fields.package 输出实际封装，例如 FBGA-78, 7.5x11；Micron FBGA 封装编码优先按仅封装公共表复用，少数跨产品线冲突保留 family + package code 覆盖。
  • 公开字段归属以 DRAM 术语 为准。
  • fields 使用跨厂商 DRAM 规范键：dram_type、series_info、dram_die_count、cs_count、bank_count、interface_type、dram_speed、operation_temperature、die_revision、solder_type、packing_type、special_option。
  • device version 先按系列范围匹配，避免 DA/DE/LF 等编码段与封装编码冲突；D1/D2/D3/D4/D6/D8/DA/DB/DC/DD/DE/LF/L2/L4 只标准化为 dram_die_count，例如 D4 输出 dram_die_count=4；LG 额外输出 special_option = Reduced page-size addressing，DD/DE 保留官方 LPDDR4 混合 die 堆叠描述；没有 CS 资料时不输出 cs_count。
  • speed 编码段同样优先按系列范围匹配：DDR5 32B/36B/40B/44B/48B/52B/56B/64B/72B/80B/88B/92B、DDR4 062Y/062E/068E/068/075E/075/083E/083/093E/093/107E、DDR3 125E、DDR2 3、DDR 6T、SDR 7E/10、GDDR5 50/60/70、GDDR5X 110/120/140、GDDR6 10/15 与 GDDR6X 19/20/22/23 来自官方 2023 PNS 或公开订购编码截图；18 同时出现在 GDDR6/GDDR6X 表中，当前不在 decodepack 中强行判定。
  • GDDR6 / GDDR6X 的 12/13/14/16/21/24 与 GDDR7 的 28/32 仅在 61 / 68 系列范围下解释；相同数字可出现在 DDR2、DDR3、RLDRAM3 的速度等级中，不能跨产品族改写 dram_type。
  • DDR5 60:* 速度对补充资料明确给出 CL 的档位保留 CL 时序：48B = DDR5-4800B CL40、52B = DDR5-5200B CL42、56B = DDR5-5600B CL46、64B = DDR5-6400B CL52、72B = DDR5-7200B CL58、80B = DDR5-8000B CL64、88B = DDR5-8800B CL72、92B = DDR5-9200B CL74。
  • DDR4 40:* 速度保留 CL 时序：062Y/062E = DDR4-3200 CL22、068E = DDR4-2933 CL20、068 = DDR4-2933 CL21、075E = DDR4-2666 CL18、075 = DDR4-2666 CL19、083E = DDR4-2400 CL16、083 = DDR4-2400 CL17、093E = DDR4-2133 CL15、093 = DDR4-2133 CL16、107E = DDR4-1866 CL13。
  • DDR3 41:* 速度额外保留 187E/15E/125/125E/107/093 的 CL 时序：DDR3-1066 CL7、DDR3-1333 CL9、DDR3-1600 CL11/CL10、DDR3-1866 CL13、DDR3-2133 CL14。
  • DDR3 / DDR3L 与 DDR5 车规截图确认的车规认证 A 在对应封装范围下输出为 special_option = Automotive certified，随后继续解析 AT/IT 温度与修订版，例如 -125AAT:D 解析为 DDR3-1600 CL11、车规、Rev D，-64BAAT:D 解析为 DDR5-6400B CL52、车规已认证、车规、Rev D；M 只在截图确认的节能范围下输出 special_option = TCSR power saving，避免把 :M 修订版误解为选项。
  • 对尚未确认实际封装尺寸的 1-3 字符封装编码段，规则只结构化消费封装编码以继续解析后续速度 / 温度 / 修订版，不公开 package 或 package_code。对旧版 / Crucial 中当前尚未结构化建模的主体编码段，规则可作为未公开主体消费到 -speed，只保留已确定的速度 / 温度 / 修订版等后缀字段。
  • DRAM 默认拓扑使用封装编码段识别状态而不是公开 package 是否存在：例如已知 JFA 编码段即使没有可公开尺寸仍可使用单 die / 单 CS 默认；EGN 这类只被未知主体消费的编码段不输出 dram_die_count / cs_count。
  • LPDDR5 1DA 仅作为已确认的配置编码段边界消费，不输出配置编码，也不推测容量/位宽；其后的 D4/D8 与 CZ 分别继续输出 4/8 die 和 TFBGA-561, 8x12.4x1.2。
  • TFBGA-441 x64 车规 LPDDR5 (family=62, package=EK) 的 -031 按 6400 Mb/s 输出 LPDDR5-6400；该分支的温度编码段使用图中范围：IT=-40°C~95°C、AT=-40°C~105°C、UT=-40°C~125°C，前置 F 输出 special_option=Functional safety features。
  • -speed、温度、修订版后缀不是主结构强制项；缺少尾缀时仍解码容量 / 位宽 / 封装 / DRAM die 数等已确认字段，只减少 dram_speed / die_revision 等后缀信息。
  • Micron 修订版编码段可带冒号分隔，例如 FAAT:B；核心 PN 查询、FDB 查找和 dram-pn.json 补全按冒号等价匹配，同时保留带冒号的官方 PN 展示。
  • dram_type 必须使用跨厂商标准名，不带厂商名，不写组合候选。
  • Micron 原始配置 / 封装编码段只用于内部解析，不进入公开字段；不要把未确认的编码段硬推成封装尺寸或球数。
  • Micron Memory Japan EDY4016... 的 A/BG/F/D/R/JD/GX/DR 等丝印编码段只作为内部编码；公开输出为 die_revision、package、solder_type、packing_type 和 dram_speed。
  • Crucial 命名空间的 45M / 55M / 62M 这类速度/档位编码段只输出为 Crucial DDR4-45M / 55M / 62M；没有外部公开表时不推导成 JEDEC CL 或 XMP 时序。
  • 维护用来源、外部确认状态或推断来源不得进入 fields。

MDB 中的 Micron DRAM 芯片配置继续按 depth x width 结构化解析，不按完整 PN 建表。本轮通过 Micron 官方 FBGA 解码器 API 逐项复核后补齐历史 DDR/SDR、RLDRAM3、DDR4、DDR5 与 LPDDR2/LPDDR5 的明确组织编码段，包括 8M8、16M4/36、24M32、32M4/18/36/64、64M18/36、96M32、128M18、768M96、1500M16、1536M48/96、6G8、8G8/16、12G4、16G4/32、32G4。此前已覆盖的较高密度 / 多通道组织编码段继续保留。仅输出编码段可直接确定的容量 / 位宽；未取得封装-编码资料时不推测封装，1500M16 则按官方已停产目录的 24Gb 结论使用 24576 Mbit。MT49 RLDRAM2 仍维持排除，不因共享数字编码段扩大解析范围。

Die / CS 封装

Micron DDR3 / DDR3L / DDR4 TwinDie / QuadDie die / CS 拓扑按仅封装判断；DDR4 3DS 按 family + config + package 判断，避免同一封装编码在普通件与 3DS 件之间误用。封装编码在已确认资料中唯一对应 TwinDie / QuadDie 结构；同一配置若换到普通封装，例如 DA/HA/RH，不输出堆叠系列。

封装 / 范围 系列 die / CS 说明
THA / SMA QuadDie 4 dies, 4 CS QuadDie
TNA TwinDie 2 dies, 2 CS TwinDie
SLD TwinDie 2 dies, 1 CS TwinDie
BAF / FSE / KJR / NEA / NRE / RKB / THD / THE / THR / THU / THV / TRF / DGA TwinDie 2 dies, 2 CS x4/x8 TwinDie
HBA / KNR / TBB / WBU / VRN / VRP TwinDie 2 dies, 1 CS 单 Rank x16 TwinDie
41:256M32:SGB TwinDie 2 dies, 1 CS DDR3L x32 TwinDie
40:2G16:SKL TwinDie 2 dies, 1 CS DDR4 x16 TwinDie
40:2G8:DVN / 40:2G8:HPR / 40:4G4:DVN / 40:4G4:HPR 3DS 2H 2 dies, 1 CS DDR4 2H 3DS
40:4G8:CLU / 40:4G8:KVA / 40:8G4:CLU / 40:8G4:KVA 3DS 4H 4 dies, 1 CS DDR4 4H 3DS

DDR5 大容量配置

Micron DDR5 仍按 depth x width 推导容量。16Gb / 24Gb / 32Gb 补充资料覆盖 4G4 / 2G8 / 1G16、6G4 / 3G8 / 1536M16、8G4 / 4G8 / 2G16 这几类结构。这里只扩展容量 / 位宽 / 封装 / 速度，不因为 24Gb 或 32Gb 直接推断堆叠 die：

DDR5 速度编码段位于 - 后、修订版之前。已确认的 B 档位保留完整时序，例如 88B = DDR5-8800B CL72；新高密度料号的 80H/88H/92H 只按数字部分输出 DDR5-8000/8800/9200，因为现有公开资料尚未定义 H 档位的 CL / tRCD / tRP。

配置 示例 输出
4G4 MT60B4G4RZ-92B:H 16Gb, x4
2G8 MT60B2G8HB-56B:G 16Gb, x8
1G16 MT60B1G16HD-72BAAT:H 16Gb, x16
6G4 MT60B6G4RW-56B:B 24Gb, x4
3G8 MT60B3G8RW-64B:B 24Gb, x8
1536M16 MT60B1536M16RV-56B:B 24Gb, x16
8G4 MT60B8G4AT-72B:B 32Gb, x4
4G8 MT60B4G8AT-64B:B 32Gb, x8
2G16 MT60B2G16HD-64B:B 32Gb, x16
1500M16 MT60B1500M16RV-64B:B 24Gb, x16（官方已停产目录的特殊写法）
12G4 MT60B12G4JFA-72B:C 48Gb, x4
6G8 MT60B6G8JFA-72B:C 48Gb, x8
16G4 MT60B16G4EGN-64B:B 64Gb, x4
8G8 MT60B8G8EGN-64B:B 64Gb, x8
32G4 MT60B32G4EGN-88H:E / D8JJB 128Gb, x4, DDR5-8800

新增补充资料还确认了 MT60B 的封装随 die 修订版演进，不能只按容量互相套用：16Gb 车规 Rev D 使用 RZ/HD；24Gb Rev B 使用 RW/RV，Rev C 改为 JF/HZ；32Gb Rev B 使用 AT/HD，Rev E 改为 RZ/HD。对应订购编码均在 PDF 第 1-3 页，三维机械图分别位于 16Gb 车规 Rev D 第 19-20 页、24Gb Rev B 第 15-16 页、32Gb Rev B 第 15-16 页和 32Gb Rev E 第 16-17 页。

32Gb Rev E 第 16 页的 RZ 机械图把长度画成 11.5，但同文件第 1、3 页均写 7.5x11.0，第 17 页温度表又把 78 球错标为 AT，呈现明显的旧版图纸复制痕迹。因此通用 60:RZ 三维尺寸继续采用内部一致的 16Gb Rev H 订购编码 + 机械图证据；不从 32Gb Rev E 的冲突图纸改写为 11.5。

本轮未找到 Micron 独立 DDR5 芯片公开数据手册明确使用 TwinDie / DDP。MRDIMM、RDIMM 或 SOCAMM2 模块层面的多 die / 3DS 资料不进入独立芯片 PN 的 dram_die_count 规则。

封装映射

封装映射优先按封装编码共用；同一个封装编码在不同产品线含义冲突时，使用 family token + package code 范围内的覆盖。封装编码只用于内部映射，公开结果只在确认后输出实际 package。首批只纳入公开资料可交叉确认的样例映射。

键 / 封装 实际封装
AD FBGA-96, 7.5x13.5
AG FBGA-78, 7.5x11
GE FBGA-96, 9x14
HA FBGA-96, 9x14
HX FBGA-78, 9x11.5
JC FBGA-78, 9x11
JY FBGA-96, 8x14
KD FBGA-96, 9x13
LY FBGA-96, 7.5x13.5
PM FBGA-78, 9x13.2
RC FBGA-96, 10x13
RH FBGA-78, 9x10.5
TB FBGA-96, 7.5x13
TD FBGA-96, 7.5x13
VA FBGA-78, 10x11
WE FBGA-78, 8x12
40:BAF FBGA-78, 10.5x11
40:FSE FBGA-78, 9.5x13x1.2
40:CLU FBGA-78, 7.5x11x1.2
40:DVN FBGA-78, 7.5x12x1.2
40:HBA FBGA-96, 9.5x14
40:HPR FBGA-78, 8x12x1.2
40:JE FBGA-78, 9x11x1.2
40:KH FBGA-96, 9x13x1.2
40:KNR FBGA-96, 7.5x13.5
40:KVA FBGA-78, 8x12x1.2
40:NEA FBGA-78, 7.5x11x1.2
40:NRE FBGA-78, 8x12x1.2
40:SA FBGA-78, 7.5x11
40:SKL FBGA-96, 10.5x13x1.2
40:TBB FBGA-96, 7.5x13
40:TRF FBGA-78, 9.5x11.5x1.2
40:WBU FBGA-96, 8x14
41:BY FBGA-86, 9x15.5
41:DA FBGA-78, 8x10.5
41:DGA FBGA-96, 9.5x14
41:EF FBGA-78, 8x10.5
41:HA FBGA-96, 9x14
41:HX FBGA-78, 9x11.5
41:JE FBGA-82, 12.5x15
41:JP FBGA-78, 8x11.5
41:JT FBGA-96, 8x14
41:KJR FBGA-78, 9.5x13
41:LA FBGA-96, 9x15.5
41:RA FBGA-78, 10.5x12
41:RE FBGA-96, 10x14
41:RG FBGA-78, 7.5x10.6
41:RH FBGA-78, 9x10.5
41:RKB FBGA-78, 8x10.5
41:SGB FBGA-136, 11x14x1.2
41:SLD FBGA-136, 10x14x1.2
41:SMA FBGA-78, 9.5x11.5x1.45
41:SN FBGA-78, 9x13.2
41:THA FBGA-78, 10x11.5x1.45
41:THD FBGA-78, 9x11.5
41:THE FBGA-78, 10.5x12
41:THR FBGA-78, 9x11.5
41:THU FBGA-82, 12.5x15
41:THV FBGA-78, 8x11.5
41:TNA FBGA-96, 10x14x1.2
41:TRF FBGA-78, 9.5x11.5x1.2
41:TW FBGA-96, 8x14
42:LF WFBGA-168, 12x12
46:B5 VFBGA-90, 8x13
46:P TSOP-66
47:RT FBGA-84, 9x12.5
48:B5 VFBGA-90, 8x13
48:P TSOP-II-54
51:HF FBGA-170, 12x14
52:PF FBGA-178, 11.5x11
53:FW TFBGA-200, 10x14.5
58:JA FBGA-190, 10x14
60:AT VFBGA-78, 7.5x11.5x0.9
60:HB VFBGA-82, 9x11x0.9
60:HC VFBGA-102, 9x14x0.9
60:HD VFBGA-102, 7.5x14x0.9
60:HS FBGA-82, 9x11
60:HT FBGA-102, 9x14
60:HZ VFBGA-102, 9.5x14x0.9
60:JF VFBGA-82, 9.5x11x0.9
60:RV VFBGA-102, 8x14x0.9
60:RW VFBGA-78, 8x11x0.9
60:RZ VFBGA-78, 7.5x11x0.9
61:JE FBGA-180, 12x14
61:KPA FBGA-180, 12x14
62:CZ TFBGA-561, 8x12.4x1.2
62:DS WFBGA-200, 10x14.5
62:DV LFBGA-315, 12.4x15x1.3
62:EK TFBGA-441, 14x14x1.1
62:K2 UFBGA-496, 14x12.4x0.58
62:ZU UFBGA-496, 14x12.4x0.65
68:DF FBGA-266, 12x14x1.1

首批样例

PN 产品线 关键输出
MT40A1G8SA-075-E DDR4 SDRAM 8Gb, x8, FBGA-78, 7.5x11, DDR4-2666 CL19, Rev E
MT40A2G4TRF-093E:A DDR4 TwinDie SDRAM 8Gb, x4, FBGA-78, 9.5x11.5x1.2, 2 dies, 2 CS, DDR4-2133 CL15, Rev A
MT40A4G4FSE-093:A DDR4 TwinDie SDRAM 16Gb, x4, FBGA-78, 9.5x13x1.2, 2 dies, 2 CS, DDR4-2133 CL16, Rev A
MT40A2G8NRE-083E:B DDR4 TwinDie SDRAM 16Gb, x8, FBGA-78, 8x12x1.2, 2 dies, 2 CS, DDR4-2400 CL16, Rev B
MT40A4G8NEA-062E:F DDR4 TwinDie SDRAM 32Gb, x8, FBGA-78, 7.5x11x1.2, 2 dies, 2 CS, DDR4-3200 CL22, Rev F
MT40A4G4HPR-075H:G DDR4 3DS SDRAM 16Gb, x4, FBGA-78, 8x12x1.2, 3DS 2H, 2 dies, 1 CS, DDR4-2666 CL19, Rev G
MT40A8G4KVA-075H:G DDR4 3DS SDRAM 32Gb, x4, FBGA-78, 8x12x1.2, 3DS 4H, 4 dies, 1 CS, DDR4-2666 CL19, Rev G
MT40A1G16WBU-083E:B DDR4 SDRAM 16Gb, x16, FBGA-96, 8x14, 2 dies, 1 CS, DDR4-2400 CL16, Rev B
MT40A2G16TBB-062E:F DDR4 SDRAM 32Gb, x16, FBGA-96, 7.5x13, 2 dies, 1 CS, DDR4-3200 CL22, Rev F
MT40A512M8RH-093:B DDR4 SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 9x10.5, DDR4-2133 CL16, Rev B
MT40A512M8WE-107E:E DDR4 SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 8x12, DDR4-1866 CL13, Rev E
MT40A2G4PM-062E:A DDR4 SDRAM 8Gb, x4, FBGA-78, 9x13.2, DDR4-3200 CL22, Rev A
MT40A512M16JY-075E:B DDR4 SDRAM 8Gb, x16, FBGA-96, 8x14, DDR4-2666 CL18, Rev B
MT40A512M8AG-075EAUT:F 车规 DDR4 SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 7.5x11, DDR4-2666 CL18, Automotive certified, Ultra-high (-40°C ~ 125°C), Rev F
MT40A512M16TD-062EAUT:R 车规 DDR4 SDRAM 8Gb, x16, FBGA-96, 7.5x13, DDR4-3200 CL22, Automotive certified, Ultra-high (-40°C ~ 125°C), Rev R
CT40A1G8SA-62M:E Crucial DDR4 SDRAM 8Gb, x8, FBGA-78, 7.5x11, Crucial DDR4-62M, Rev E
EDY4016AABG-JD-F-D Micron Memory Japan DDR4 SDRAM 4Gb, x16, FBGA-96, 7.5x13.5, DDR4-3200 24-24-24, Rev A, Dry pack (tray)
EDY4016AABG-GX-F-R Micron Memory Japan DDR4 SDRAM 4Gb, x16, FBGA-96, 7.5x13.5, DDR4-2666 19-19-19, Rev A, Tape and Reel
MT60B2G8HB-48B-IT-A DDR5 SDRAM 16Gb, x8, VFBGA-82, 9x11x0.9, DDR5-4800B CL40, Industrial, Rev A
MT60B2G8HB-48BAT:A DDR5 SDRAM 16Gb, x8, VFBGA-82, 9x11x0.9, DDR5-4800B CL40, Automotive, Rev A
MT60B2G8HB-56B:G DDR5 SDRAM 16Gb, x8, VFBGA-82, 9x11x0.9, DDR5-5600B CL46, Rev G
MT60B2G8RZ-64BAAT:D 车规 DDR5 SDRAM 16Gb, x8, VFBGA-78, 7.5x11x0.9, DDR5-6400B CL52, Automotive certified, Automotive, Rev D
MT60B1G16HD-72BAAT:H DDR5 SDRAM 16Gb, x16, VFBGA-102, 7.5x14x0.9, DDR5-7200B CL58, Automotive certified, Automotive, Rev H
MT60B3G8RW-64B:B DDR5 SDRAM 24Gb, x8, VFBGA-78, 8x11x0.9, DDR5-6400B CL52, Rev B
MT60B1536M16RV-56B:B DDR5 SDRAM 24Gb, x16, VFBGA-102, 8x14x0.9, DDR5-5600B CL46, Rev B
MT60B6G4JF-64B:C DDR5 SDRAM 24Gb, x4, VFBGA-82, 9.5x11x0.9, DDR5-6400B CL52, Rev C
MT60B1536M16HZ-80B:C DDR5 SDRAM 24Gb, x16, VFBGA-102, 9.5x14x0.9, DDR5-8000B CL64, Rev C
MT60B4G8AT-64B:B DDR5 SDRAM 32Gb, x8, VFBGA-78, 7.5x11.5x0.9, DDR5-6400B CL52, Rev B
MT60B2G16HD-64B:B DDR5 SDRAM 32Gb, x16, VFBGA-102, 7.5x14x0.9, DDR5-6400B CL52, Rev B
MT60B4G8RZ-88B:E DDR5 SDRAM 32Gb, x8, VFBGA-78, 7.5x11x0.9, DDR5-8800B CL72, Rev E
MT60B32G4EGN-88H:E / D8JJB DDR5 SDRAM 128Gb, x4, DDR5-8800, Rev E; H 时序和 EGN 封装细节仍未公开
MT41K512M8DA-107:P DDR3 SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 933MHz (DDR-1866), Rev P
MT41K512M16HA-125:A / D9STQ DDR3 SDRAM 8Gb, x16, FBGA-96, 9x14, DDR3-1600 CL11, Rev A
CT41K1024M8RH-125:A DDR3 SDRAM 8Gb, x8, FBGA-78, 9x10.5, DDR3-1600 CL11, Rev A
MT41K1G4RA-107:D DDR3L SDRAM 4Gb, x4, FBGA-78, 10.5x12, DDR3-1866 CL13, Rev D
MT41K512M8RH-107IT:E DDR3L SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 9x10.5, DDR3-1866 CL13, Industrial, Rev E
MT41K256M16RE-125:A DDR3L SDRAM 4Gb, x16, FBGA-96, 10x14, DDR3-1600 CL11, Rev A
MT41K512M16VRN-107 IT:P / D9XLQ DDR3L TwinDie SDRAM 8Gb, x16, FBGA-96, 8x14, 2 dies, 1 CS, DDR3-1866 CL13, Industrial, Pb-free SAC302, Rev P
MT41K512M8HX-125AAT:D DDR3 SDRAM 4Gb, x8, FBGA-78, 9x11.5, DDR3-1600 CL11, Automotive certified, Automotive (-40°C ~ 105°C), Rev D
MT41J512M4DA-093AAT:K 车规 DDR3 SDRAM 2Gb, x4, FBGA-78, 8x10.5, DDR3-2133 CL14, Automotive certified, Automotive, Rev K
MT41J128M16JT-093AAT:K 车规 DDR3 SDRAM 2Gb, x16, FBGA-96, 8x14, DDR3-2133 CL14, Automotive certified, Automotive, Rev K
MT41J256M8HX-107AAT:D 车规 DDR3 SDRAM 2Gb, x8, FBGA-78, 9x11.5, DDR3-1866 CL13, Automotive certified, Automotive, Rev D
MT41J128M16HA-107AAT:D 车规 DDR3 SDRAM 2Gb, x16, FBGA-96, 9x14, DDR3-1866 CL13, Automotive certified, Automotive, Rev D
MT41K2G4RKB-107:P DDR3 SDRAM 8Gb, x4, FBGA-78, 8x10.5, 2 dies, 2 CS, 933MHz (DDR-1866), Rev P
MT41K1G16DGA-125:A DDR3 SDRAM 16Gb, x16, FBGA-96, 9.5x14, 2 dies, 2 CS, 800MHz (DDR-1600), Rev A
MT41K512M16TNA-125 M:E DDR3 SDRAM 8Gb, x16, FBGA-96, 10x14x1.2, 2 dies, 2 CS, DDR3-1600 CL11, TCSR power saving, Rev E
MT41K4G4SMA-125:E DDR3 SDRAM 16Gb, x4, FBGA-78, 9.5x11.5x1.45, 4 dies, 4 CS, DDR3-1600 CL11, Rev E
MT41K2G4THA-187E:D DDR3 SDRAM 8Gb, x4, FBGA-78, 10x11.5x1.45, 4 dies, 4 CS, DDR3-1066 CL7, Rev D
MT41K256M32SLD-125 M:E DDR3 SDRAM 8Gb, x32, FBGA-136, 10x14x1.2, 2 dies, 1 CS, DDR3-1600 CL11, TCSR power saving, Rev E
MT47H128M16RT-25E:C DDR2 SDRAM 2Gb, x16, FBGA-84, 9x12.5, DDR2-800, Rev C
MT46V32M16P-5B-IT-J DDR SDRAM 512Mb, x16, TSOP-66, DDR-400, Industrial, Rev J
MT46H32M32LFB5-5 IT:B LPDDR 1Gb, x32, VFBGA-90, dram_die_count=1, 200MHz, Rev B
MT48LC16M8A2P-6A:L SDRAM 128Mb, x8, TSOP-II-54, 166MHz, Rev L
MT48H16M32LFB5-75:A LPSDR 512Mb, x32, VFBGA-90, dram_die_count=1, 133MHz, Rev A
MT48H16M32LGB5-75:A LPSDR 512Mb, x32, VFBGA-90, dram_die_count=1, Reduced page-size addressing, 133MHz, Rev A
MT42L128M32D1LF-25 WT:A LPDDR2 4Gb, x32, WFBGA-168, dram_die_count=1, Rev A
MT52L512M32D2PF-107 WT:B LPDDR3 16Gb, x32, FBGA-178, dram_die_count=2, Rev B
MT53E1G32D2FW-046-AIT-A LPDDR4 32Gb, x32, TFBGA-200, 10x14.5x1.1, dram_die_count=2, 2133MHz (LPDDR4-4266), Rev A
MT62F1G32D4DS-031-WT-B LPDDR5 32Gb, x32, TFBGA-315, 12.4x15x1.1, dram_die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Rev B
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B LPDDR5 32Gb, x64, TFBGA-441, 14x14x1.1, dram_die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Automotive Industrial (-40°C ~ 95°C), Rev B
MT62F512M64D4EK-031 FAAT:B LPDDR5 32Gb, x64, TFBGA-441, 14x14x1.1, dram_die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Functional safety features, Rev B
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B LPDDR5 64Gb, x64, TFBGA-441, 14x14x1.1, dram_die_count=8, 3200MHz (LPDDR5-6400), Automotive Ultra (-40°C ~ 125°C), Rev B
MT62F1DAD4CZ-DC Y62P LPDDR5 TFBGA-561, 8x12.4x1.2, dram_die_count=4；1DA 未确认容量/位宽，不推测
MT62F1DAD8CZ-DC Y62P LPDDR5 TFBGA-561, 8x12.4x1.2, dram_die_count=8；1DA 未确认容量/位宽，不推测
MT51J256M32HF-80:A GDDR5 8Gb, x32, FBGA-170, GDDR5-8Gbps, Rev A
MT58K256M32JA-100:A GDDR5X 8Gb, x32, FBGA-190, GDDR5X-10Gbps, Rev A
MT61K256M32JE-14:A GDDR6 8Gb, x32, FBGA-180, GDDR6-14Gbps, Rev A
MT61K512M32KPA-24-U GDDR6X 16Gb, x32, FBGA-180, GDDR6X-24Gbps, Rev U

历史资料补全记录

以下为当时的采集/实施记录；具体编码段定义以本页对应章节为准。

  • 2026-07-11 品牌×产品线审计补入 24Gb GDDR7。