审计日期：2026-08-27
操作方法与状态分类见 PN 资源覆盖审计。以下均为 2026-08-27 快照。
本轮规则落地后的仅解码器唯一 PN 结果：
| 来源 | 唯一 PN | 语义匹配 | 仅身份 | 未找到 | 有意省略 | 未分类待办项 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DRAM PN | 3169 | 3168 | 1 | 0 | 1 | 0 |
| 受管理 NAND PN | 891 | 890 | 1 | 0 | 1 | 0 |
| Micron MDB | 15338 | 14984 | 321 | 33 | 7 | 347 |
| SpecTek MDB（逗号分隔 PN 已拆分） | 2882 | 2740 | 0 | 142 | 0 | 142 |
相较第 1～5 项完成时，Micron MDB 语义匹配从 14874 增至 14984（+110）， 未分类待办项从 457 降至 347。其中包括仅输出产品组合、容量或部分芯片 字段的保守解析，不等同于每条 PN 全字段已知。
Micron MDB 的首要待办项已收敛为 MT63G 73、MT29Z 52、MT29C 25、
MT43T 17、MTFC 17、MT55J 13、MT59D 12 和 MTFCBA 12。已确认的
MT29D / ClearNAND / N2M400 / MT30A 以及受限 NT / CT / EM / SCM
命名空间已进入结构化规则；AMD 仍存在 归属冲突，不依 Micron 映射分组 猜测。
研究分为旧版 MCP/AiO、受管理 NAND/uMCP、裸 NAND/ClearNAND/特殊 DRAM 三组。具体证据和编码段结论已归入产品线文章：
| 当时研究对象 | 数量或样本范围 | 唯一资料入口 |
|---|---|---|
| MT29C / MT29D / MT29Z | 26 / 39 / 52 条 | Micron MCP 待办项 |
| MT29FCA/FEN | ClearNAND / Enhanced ClearNAND | Micron NAND |
| N2M | 8 条 | Micron eMMC |
| MTFCBA | 12 条 | MTFC 边界 |
| MT30A | 12 条 | Micron uMCP |
| MTFC BG / 1T5 | 芯片与容量候选 | UFS、未知 MTFC |
| MT43T/M/D、MT55J/D、MT59、MT63G、SCM/CT/NT/EM/AMD | 特殊命名空间 | Micron DRAM、SpecTek DRAM |
本轮按现有厂商审计以下芯片级产品：独立 DRAM（含 HBM/GDDR/LPDDR）、并行裸 NAND、NAND Flash ID、eMMC、UFS、eMCP/uMCP/ePoP、E2NAND/E3NAND、芯片级 BGA 受管理 NAND、控制器分类与丝印。
当次明确排除新增厂商、SPI NAND 扩展和 RLDRAM2；此前已有 SPI NAND 规则保留。长期授权边界见 AGENTS.md，规则准入见 编写规范。
- DRAM / 受管理 NAND 搜索资源的重复 PN 与厂商缺失均为 0，Micron MDB 精确 / 后缀边界去重通过。
- 当时有意省略搜索种子为
H5WG6HMN6QX038R与HN8T039JHQX099N，各自资料边界见 SK hynix DRAM 和 UFS。CXDR4FFBM-CS-A的已知/未知编码段见 CXMT。 - FDB / IDDB 中 165 个控制器全部在
controller-groups.json；all另含 2 个外部已知控制器，167 个均已分类。 - 对所有
partSpecs.match.value的资源 PN 扫描未发现完整 PN 命中；DecodePack 检查器与元数据审计通过。
此表只保存研究和验证数量；物理参数与编码段映射不在审计报告中再维护一份。
| 厂商 | 当次记录的数量 | 规则与来源 |
|---|---|---|
| Samsung | eMMC 11 条搜索 PN；旧版 eMCP 6 条；HBM 4 条规则、22 条 PN；3 组旧版 ID 规格 | DRAM、eMMC、eMCP、UFS、NAND |
| SK hynix | 旧版 2Gbit 的 4 种电压/位宽回归；2 条 GDDR7 完整 PN | DRAM、NAND、eMCP、UFS |
| Micron | 12 组 eMMC 系列；eMMC/UFS 新增 42 条 PN，排除 2 条异常；审计 MCP 15+14 条、DRAM 519+1238 条，新增受管理 6 条、DRAM 67 条；复查 NAND MCP 96 条，搜索缺口为 0；HBM2E 16 条 PN；2 条 Y62P PN、2 个 ESMT 来源 ID | eMMC、UFS、MCP、DRAM、HBM、NAND |
| YMTC | 2 条 UFS 实机/器件表样本 | UFS、NAND |
| CXMT | 持续补全外部完整 PN，未单独统计新增量 | DRAM |
| BIWIN | 未单独统计 | DRAM、eMMC、MCP |
| Longsys / FORESEE | 未单独统计 | DRAM、eMMC、UFS、MCP |
| ESMT | 12 个完整五字节 Read ID 字节组合 | NAND、eMMC |
| KIOXIA | eMMC 7 条搜索 PN；5 组并行 SLC 字节组合；车规 UFS 4.1 全容量回归 | NAND、eMMC、UFS |
| SanDisk | 未单独统计 | eMMC、MCP |
| Intel / SpecTek | 未单独统计 | Intel NAND、SpecTek NAND |
| Winbond | 16 条 LPDDR4/4X PN；23 组完整 Read ID 规格 | DRAM、NAND |
| Macronix | 按规格复核，未单独统计数量 | NAND |
| ISSI | 6 条完整 Read ID 几何参数 | NAND |
| Nanya | 11 个芯片页面、364 个 PN，新增 178 条；封装/速度/等级缺口为 0 | DRAM |
候选继续保留在相应产品线文章；以下只记录移交方向，后续状态以该文章为准。
- Samsung HBM4、V9/V10：DRAM、NAND
- SK hynix HBM3E/HBM4、V9T/V9Q：DRAM、NAND
- Micron HBM4、未知 MTFC 组合：HBM、受管理 NAND
- CXMT / GigaDevice / Longsys LPDDR：CXMT、GigaDevice、Longsys
- YMTC UC341 / YMN 候选：UFS、NAND
- KIOXIA / SanDisk eMCP：KIOXIA、SanDisk
- SanDisk 封装待确认项：eMMC、UFS
以下为当时的采集/实施记录；具体编码段定义以本页对应章节为准。
- 2026-05-12 网络补全只刷新非 Micron 完整 PN：Samsung DDR4 Product Guide、SK hynix DDR4/DDR5 数据手册 / 列表、Nanya 官方产品列表、CXMT LCSC 完整 PN 列表、ESMT / Etron 官方产品表。ISSI / Winbond 已由官方 PSG 批量展开，Micron 继续由
mdb.json/ Micron FBGA 路径覆盖。